快速高温退火炉系统的综述

　　快速高温退火炉是在相当短的时间内(经常是几秒钟)，将单个硅片加热至400~1250℃温度范围内的一种半导体热处理工艺设备。随着C工艺技术的发展，己逐渐成为先进半导体制造不能缺少的一项工艺装备，用于氧化、退火、金属硅化物的构成与快速热化学的沉积。在常压或低压下，退火炉系统采用辐射热源对硅片进行单片加热，温度测量和控制通过高温计完成。

　　多数的高温退火炉厂家应用多盏卤钨素灯组进行组装在一起作为热源。卤钨素灯通常安装在硅片的顶部或底部，数目能够达到数百盏。它们被放置在多个区域里面，这样可以保持硅片上的温度越高，这种等高线温度分布可以补偿加热过程中可能出现的加热和冷却不均匀，卤素灯会产生短波辐射，而硅的加热依赖于卤素灯辐射的选择性吸收。

　　该退火炉的温度控制依赖于热电偶或是光学高温计。热电偶与硅片直接接触，以确定硅片的实际温度。虽然热电偶相对可靠，但在高温下响应时间慢，寿命短。光学高温计可用于非接触测量，响应速度快，它可以通过加热硅片和检测硅片表面的红外辐射能量来实现。

　　高温退火炉的快速退火技术作为集成电路制造业的关键技术之一，国外的相关技术和设备发展很快，很多技术相当成熟。为了缩小与国外差距，立足于我国研究开发具有自主知识产权的快速退火工艺技术和设备定将具有重要的推广价值。